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2N6491G

2N6491G

厂商名称：ON安森美

2N6491G图片

元件分类：三极管

中文描述：

PNP晶体管,TO-220封装,最大直流集电极电流15 A,最大集电极-发射电压80 V,通孔安装,最大耗散功率75 W,3引脚

英文描述：

Power Bipolar Transistor,NPN,80 V,15 A,TO-220 3 LEAD STANDARD,50-TUBE

数据手册：

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2N6491G概述

该15A，80 V，PNP双极功率晶体管适用于通用放大器和开关应用。2N6487、2N6488(NPN)；以及2N6490、2N6491(PNP)为互补器件。

特性

直流电流增益指定为15安培-h FE=20-150 I C=5.0 Adc；h FE=5.0(Min) I C=15 Adc

集电极-发射极维持电压--V CEO(sus)=60 Vdc(Min)-2N6487,2N6490;V CEO(sus)=80 Vdc(Min)-2N6488,2N6491

高电流增益-带宽积

f T=5.0 MHz(Min) IC=1.0 Adc

TO-220AB紧凑型封装

提供无铅封装

应用

设计用于通用放大器和开关应用。

2N6491G中文参数

晶体管类型 PNP
最大直流集电极电流 15 A
最大集电极-发射极电压 80 V
封装类型 TO-220
安装类型通孔
最大功率耗散 75 W
晶体管配置单
最大集电极-基极电压 90 V 直流
最大发射极-基极电压 5 V
最大工作频率 1 MHz
引脚数目 3
每片芯片元件数目 1

2N6491G引脚图

2N6491G引脚图

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